BDR6315T——70V三相NMOSFET栅极驱动芯片

产品概述：

BDR6315T是一款专用于三相无刷直流电机（BLDC）控制的功率管驱动芯片，该芯片集成了6路NMOSFET栅极驱动器。每个驱动器能提供高达IO+/IO-=1.0A/1.2A的峰值电流能力，可满足广泛的BLDC应用场合。BDR6315T具有5.5V-50V的宽电源范围，可以应用于12V、24V以及众多由多节锂电池供电的BLDC应用场合。

BDR6315T还集成了高低边欠压锁定，防止驱动MOSFET的电压过低而产生大量热损耗。同时该芯片还具备200ns的防直通死区时间，防止高低边MOS同时开通而损坏的极端情况。

BDR6315T集成了优秀的共模噪声消除电路，因此高边具有非常高的dv/dt共模抑制能力（CMTI）。同时，该芯片还具有卓越的负电压瞬态抑制能力（NTSOA）。

特征：

单片集成6路NMOSFET直接驱动器；

宽电源范围：5.5~50V；

集成自举二极管；

集成VCC/VBS欠压锁定；

内置死区时间200ns；

驱动能力：IO+/IO-=1.0A/1.2A；

集成高边共模噪声消除电路和具有优秀负电压瞬态抑制能力；

I/O兼容5V/3.3V逻辑；

宽工作温度范围：-40~125℃；