BDR6307B——600V高压半桥驱动芯片

产品概述：

BDR6307B是一款耐压600V的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N型MOS半桥。

BDR6307B的逻辑输入兼容CMOS和TTL电平，支持3.3V应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8封装。

特征：

高端悬浮自举电路

耐压高于600V

栅极电源范围从4.8V~20V

逻辑电平兼容3.3V、5V和15V

输出传输延时匹配

内置欠压保护

内建死区控制电路，典型死区时间500ns

封装：SOP8

应用电路：

应用：

半桥驱动

三相直流无刷电机驱动

风筒、水泵、电动车等控制器

高压功放等