BDR6121G电机驱动芯片

产品概述：

BDR6121G采用 H 桥电路结构设计，内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。

电路内部集成过温保护，当电路内部温度超过设定值时 (典型值 150℃)，关断负载电流。当电路的结温下降到预设温度(典型值 130℃)时，电路返回正常工作状态；但电路不具有短路保护功能，当输出对地短路、输出对电源短路、输出端短路时易导致电路损坏，使用时应避免发生短路，或者加入限流措施避免发生类似损坏。

逻辑控制电源VCC 与功率电源 VDD 内部完全独立，实际使用中应分开布线，禁止将 VCC 与 VDD 直接接到一起，以防止 VDD 高压对电路 VCC 端造成损伤。

特征：

低待机电流 (小于 0.1uA)

工作电压范围：2V-8.6V

最大持续输出电流：1.2A(VDD=6.5V)

最大峰值输出电流：2.5A(VDD=6.5V)

低导通内阻

— 1200 毫安输出电流时，内阻 0.5 欧姆

— 200 毫安输出电流时，内阻 0.35 欧姆

较小的输入电流

— 逻辑输入 INA\INB 集成 15K 对地下拉电阻

内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)